发明名称 |
掺杂的有机半导体材料以及它们的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种通过添加一掺和物(1)制备具有加大载流子密度和有效载流子迁移率的掺杂的有机半导体材料的方法。在掺杂物(1)混入有机半导体材料之后分裂出氢、一氧化碳、氮或自由羟基和至少向半导体材料或从半导体材料传输一电子,该方法的突出特征是,应用一不带电荷的有机化合物作为掺杂物(1)。另外本发明涉及的掺杂的有机半导体材料是通过该方法之一获得的。该半导体材料显示出众的特点是在掺杂层中至少含有一种有机化合物的阳离子(2),该有机化合物(1)不带电荷的形态在空气中是不稳定的。 |
申请公布号 |
CN1591926A |
申请公布日期 |
2005.03.09 |
申请号 |
CN200410056519.8 |
申请日期 |
2004.08.06 |
申请人 |
诺瓦莱德有限公司 |
发明人 |
安斯加尔·维尔纳;李枫红;马丁·普法伊费尔 |
分类号 |
H01L51/30;H01L51/40;H05B33/14 |
主分类号 |
H01L51/30 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
郭国清;樊卫民 |
主权项 |
1.通过添加一掺杂物(1)制备具有加大载流子密度和有效载流子迁移率的掺杂的有机半导体材料的方法。在掺杂物(1)混入有机半导体材料之后分裂出氢、一氧化碳、氮或自由羟基和至少向半导体材料或从半导体材料传输一电子,其特征在于,应用一不带电荷的有机化合物作为掺杂物(1)。 |
地址 |
联邦德国德累斯顿 |