发明名称 | 导磁膜的形成方法及相关设备 | ||
摘要 | 一种通过沉积磁性材料在表面(3)上形成导磁膜(5)的方法,在沉积过程中该表面附近存在磁场(H),所述磁场的方向基本平行于该表面。为了在沉积过程中调节磁性材料的导磁率,该方法包括如下步骤:1)通过沉积铁磁性材料形成导磁层(2、4),制成导磁膜,铁磁性材料的最大厚度(t<SUB>1</SUB>+t<SUB>2</SUB>)基本对应于1/2πL<SUB>ex</SUB>,其中L<SUB>ex</SUB>等于√A/K<SUB>u</SUB>,A是铁磁性材料的交换常数,K<SUB>u</SUB>是单轴各向异性常数;和2)在导磁层的形成过程中改变磁场的方向,而不是仅倒转约180°的角度。 | ||
申请公布号 | CN1192365C | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
申请号 | CN99800406.5 | 申请日期 | 1999.01.18 |
申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | P·J·H·布卢门;J·J·M·鲁罗克 |
分类号 | G11B5/85;H01F41/14 | 主分类号 | G11B5/85 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;傅康 |
主权项 | 1.一种通过沉积磁性材料在表面上形成导磁膜的方法,在沉积过程中所述表面附近存在磁场,所述磁场的磁场方向平行于所述表面,其特征在于包括如下步骤:通过沉积铁磁性材料形成导磁层,制成导磁膜,铁磁性材料的最大厚度对应于1/2πL<sub>ex</sub>,其中L<sub>ex</sub>等于<img file="C998004060002C1.GIF" wi="202" he="68" />A是铁磁性材料的交换常数,K<sub>u</sub>是单轴各向异性常数;和在导磁层的形成过程中改变磁场的磁场方向,而不是仅倒转180°的角度。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |