发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 在具有薄膜状有源层的一个场效应型器件中提供了一个薄膜状半导体器件,该器件包括在该有源层上的一个顶部侧栅极和连接到一稳定电位的一个底部侧栅极,底部侧栅极被提供在有源层和一基片之间。底部侧栅极可以电连接到场效应型器件的源极和漏极中的唯一一个极。本申请也公开了其制造方法。 | ||
申请公布号 | CN1192432C | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
申请号 | CN99120599.5 | 申请日期 | 1993.06.09 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 竹村保彦 |
分类号 | H01L27/092 | 主分类号 | H01L27/092 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李亚非 |
主权项 | 1.一种半导体器件,包括:至少一个p沟道薄膜晶体管和一个n沟道薄膜晶体管,设在整个衬底上;其特征在于,所述p沟道薄膜晶体管和所述n沟道薄膜晶体管的每一个包括一对杂质区、一个设在所述杂质区之间的沟道区和一个设在整个所述沟道区的栅极,栅极与所述沟道区之间有第一栅绝缘膜;其中只有所述n沟道薄膜晶体管还包括一个处于所述沟道区的下方的后电极,该后电极与所述沟道区之间有第二栅绝缘膜;且所述后电极与只有一个所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的所述杂质区的起码一部分重叠。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |