| 发明名称 | 一种电可擦除可编程只读存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种电可擦除可编程只读存储器，包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上的第一氧化层和其厚度大于第一氧化层的第二氧化层；形成在所述第一氧化层上的多晶硅浮栅极；覆盖在所述多晶硅浮栅极上的氧化物/氮化物/氧化物介电层；形成在所述介电层上、完全覆盖所述浮栅极的多晶硅控制栅极；以及形成在所述第二氧化层上的多晶硅选择栅极。本发明还提供了一种制造电可擦除可编程只读存储器的方法。由于器件中不含隧道氧化物窗口，所以简化了制造工艺，而且可以在减小器件尺寸的情况下，保持高栅极耦合比率。 | ||
| 申请公布号 | CN1591879A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN03150637.2 | 申请日期 | 2003.08.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 詹奕鹏;许丹 |
| 分类号 | H01L27/115;H01L21/8247 | 主分类号 | H01L27/115 |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杜娟;肖善强 |
| 主权项 | 1.一种电可擦除可编程只读存储器，包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上的第一氧化层和其厚度大于第一氧化层的第二氧化层；形成在所述第一氧化层上的多晶硅浮栅极；覆盖在所述多晶硅浮栅极上的氧化物/氮化物/氧化物介电层；形成在所述介电层上、完全覆盖所述浮栅极的多晶硅控制栅极；以及形成在所述第二氧化层上的多晶硅选择栅极。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||