带有一个或多个存储装置的矩阵可寻址设备

摘要

在包括带有排列在无源矩阵可寻址阵列中的可多向切换的存储单元(5)的一个或多个存储装置的矩阵可寻址设备中，存储单元包括采取铁电或驻极体薄膜存储材料形式的存储介质，所述存储材料可以被所施加的电场极化并呈现滞后特性，存储材料最好是聚合物或共聚物。所述设备中的存储装置包括至少第一和第二电极装置(E1；E2)，使得第二电极装置(E2)的电极(ε2)设置在第一电极装置(E1)的电极(ε1)的凹槽(3)内，在取向上与其垂直，凹槽只伸展到第一电极装置(E1)的电极(ε1)高度一半。第二电极装置(E2)的电极(ε2)设置在凹槽(3)内，被存储材料(4a，4b)包围，所述存储材料还与第一电极装置(E1)的交叉电极(ε1)接触，从而在第一和第二电极装置(E1；E2)的电极(ε1；ε2)之间的交点内形成由在至少三个侧面上包围第二电极装置(E2)的电极(ε2)的存储材料构成的存储单元(5)，这样，在存储单元(5)中不同的位置上提供至少三个切换方向。在按照本发明的设备中两个或两个以上存储装置可以堆叠起来，于是以体积数据存储装置的形式实现所述设备。

主权项

1.一种矩阵可寻址设备，它包括带有可多向切换的存储单元(5)的一个或多个存储装置，所述各存储单元(5)排列成无源矩阵可寻址阵列，其中所述各存储单元(5)包括采取铁电或驻极体薄膜存储材料形式的存储介质，所述存储材料可以被所施加的电场极化并呈现滞后特性，其中至少一个存储装置包括至少两个并且不多于三个电极装置(E)，其中或者是所述设备的唯一存储装置或者是其中两个或两个以上存储装置的第一个的所述至少一个存储装置的第一电极装置(E)设置在绝缘基片(1)上，所述设备的特征在于：所述第一电极装置(E1)包括各平行带状电极(ε1)，所述各平行带状电极(ε1)的宽度为w、高度为h并且由设置在所述各电极(ε1)之间并覆盖其侧边的层厚度为δ的绝缘薄膜材料部分(2a)彼此隔开和电气绝缘，所述厚度δ是所述电极宽度w的一小部分；所述电极(ε1)具有大的高宽比h/w；所述第一电极装置(E1)在其顶面上包括多个平行凹槽(3)，所述多个平行凹槽(3)的取向垂直于电极(ε1)的纵轴、宽度约等于电极宽度w并且从电极(ε1)顶面向下伸展一段约为电极高度H一半的距离h，所述凹槽(3)彼此隔开一段约等于电极宽度w的距离；至少所述凹槽(3)的侧壁被存储材料薄膜(4a)覆盖并且其底面用绝缘薄膜(4b)覆盖，所述薄膜任选地可以由存储材料形成；以及在所述凹槽(3)内设置第二电极组(E2)的电极(ε2)，所述第二电极组(E2)的电极(ε2)与其薄膜存储材料(4a，4b)接触并形成界面，使得设置在所述凹槽(3)中的所述存储材料形成存储装置的存储单元(5)，在每一种情况下，在所述第一电极装置的电极(ε1)和所述第二电极装置的电极(ε2)之间交叉点上的所述存储材料的体积中形成单个存储单元(5)，从而，所述存储单元(5)可以在垂直于所述凹槽(3)侧壁的侧向上和在与所述凹槽(3)底面垂直的第三方向上被极化和切换，假定所述底面也用存储材料覆盖。