在乏硅环境下使用等离子增强化学气相沉积制程的金属栅极的氮氧间隔体的形成方法

摘要

本发明提供一种包含一金属栅极电极(110)的半导体装置(100)，以及制造该半导体装置(100)的方法，其中，该半导体装置(100)包含：一半导体基板(102)；一金属栅极电极(110)；和形成于金属栅极电极(110)表面上的一氮氧化硅间隔体(114)，其中，在氮氧化硅间隔体(114)和金属栅极电极(110)间的界面上实质上不会有金属硅化物；该制程的步骤包含：在半导体基板上形成金属栅极电极；以PECVD在金属栅极电极表面上形成氮氧化硅间隔体，其中，在初始为乏硅条件下，形成氮氧化硅间隔体，因此实质上不会形成硅化物；其中在该乏硅条件中，提供第一供应量的至少一含硅材料给PECVD设备，并将该第一供应量根据至少一其它反应物的量而相应降低。

主权项

1.一种制造半导体装置的制程，其中该半导体装置包含金属栅极电极，该制程包括：提供一半导体基板；在该半导体基板上形成一金属栅极电极；以及以PECVD在该金属栅极电极表面上形成一氮氧化硅间隔体；其中，在最初为乏硅条件下形成该氮氧化硅间隔体；其中，在该乏硅条件中，供应具有第一供应量的至少一含硅材料给该PECVD设备，而该第一供应量是相对于至少一其它反应物的供应量而予以减少；其中 藉此，在该金属栅极电极和该氮氧化硅间隔体间的界面上，实质上不会形成硅化物。