半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法。伴随着半导体器件的高速化和高集成化的发展，同时要求形成微细的栅极图形和微细而且高密度的图形。在实现该要求的现有技术中，虽然有全面细线化法和移相器边缘移相曝光法等，但是，前者会产生栅极电极布线也与栅极图形同时变细、布线部分易于断线、成品率低的问题。后者则由于移相器间的干涉和移相器配置的制约等关系而存在着会受到强的布局限制的问题。为了同时解决这些问题，本发明提供高集成而且具有极细的栅极电极的半导体器件的制造方法。在形成了抗蚀剂图形后，向所要的部分照射DUV或电子束以使抗蚀剂有选择地细线化。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：具有在半导体衬底上形成线状感光性覆膜图形的步骤；对上述线状感光性覆膜的一部分照射能量束使之变细的步骤；把经照射能量束而变细后的线状感光性覆膜图形转印到上述半导体衬底的步骤。