| 发明名称 | 电光学装置及其制造方法和电子仪器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种调整形成气体阻挡层的基底层的材料流动性，并形成难以引起体积变化的基底层，对气体阻挡层缓和应力集中的是电光学装置及其制造方法，以及电子仪器。在基体(200)上具有多个第1电极(23)、具有与第1电极(23)形成位置相对应多个开口部(221a)的贮格围堰结构体(221)、在各开口部(221)中配置的电光学层(60)、和覆盖贮格围堰结构体(221)和电光学层(60)的第2电极(50)的电光学装置(1)中，还具有通过含有微粒子(211)的有机材料形成覆盖第2电极并大致形成为平坦状的上表面的缓冲层(210)、和覆盖缓冲层(210)的气体阻挡层(30)。 | ||
| 申请公布号 | CN1591527A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN200410074945.4 | 申请日期 | 2004.09.01 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 林建二;野泽陵一 |
| 分类号 | G09F9/30;H05B33/04;H05B33/00 | 主分类号 | G09F9/30 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种电光学装置，在基体上具有：多个第1电极；有与所述第1电极的形成位置相对应的多个开口部的贮格围堰结构体；配置于各开口部的电光学层；和覆盖所述贮格围堰结构体及所述电光学层的第2电极，其特征在于，还具备：覆盖所述第2电极，并形成大致平坦的上表面的缓冲层；和覆盖所述缓冲层的气体阻挡层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||