| 发明名称 | 半导体器件、其制造方法及摄影机 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体器件、其制造方法及摄影机。半导体器件具有通过光电转换传输存储电荷的传输沟道部(12)、在传输沟道部(12)上形成的绝缘膜(13)、用于通过绝缘膜(13)将传输电压施加到传输沟道部(12)的传输电极(15)，绝缘膜(13)具有第1膜厚和比第1膜厚薄的第2膜厚，在与传输沟道(12)的传输方向垂直的宽度方向上的传输电极(15)的端部之下的绝缘膜(13)的膜厚为第1膜厚，在与传输方向垂直的宽度方向上的传输沟道部(12)的部之上的绝缘膜(13)的膜厚为第2膜厚。 | ||
| 申请公布号 | CN1591887A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN200410075206.7 | 申请日期 | 2004.09.03 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 田中浩司 |
| 分类号 | H01L27/14;H04N5/225 | 主分类号 | H01L27/14 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，具有通过光电转换来传输被存储的电荷的传输沟道部、在传输沟道部上形成的绝缘膜、用于通过上述绝缘膜将传输电压施加到上述传输沟道部的传输电极，其特征在于，上述绝缘膜具有第1膜厚和比上述第1膜厚薄的第2膜厚；通过传输沟道部在与电荷的传输方向垂直的宽度方向上的传输电极的端部之下的上述绝缘膜的膜厚为第1膜厚；在与传输方向垂直的宽度方向上的传输沟道部的中央部之上的上述绝缘膜的膜厚为第2膜厚。上述传输电极的下表面为沿上述绝缘膜向下的凸状。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||