| 发明名称 | 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 | ||
| 摘要 | 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择半导体材料为衬底；在半导体衬底中直接进行大计量离子注入；退火，使得磁性团族均匀分布于衬底中。 | ||
| 申请公布号 | CN1591784A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN03155722.8 | 申请日期 | 2003.08.29 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 宋书林;陈诺夫;周剑平;杨少延;刘志凯;柴春林 |
| 分类号 | H01L21/265;H01L21/324;H01F1/40;H01F41/02 | 主分类号 | H01L21/265 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择半导体材料为衬底；在半导体衬底中直接进行大计量离子注入；退火，使得磁性团族均匀分布于衬底中。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||