半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明的课题是，抑制SRAM单元的形成面积的增大并谋求工作的稳定。在SRAM单元的存取MOS晶体管Q5的栅电极33上，形成与字线连接的接触45。接触45穿通元件隔离绝缘膜14，抵达SOI层13。驱动MOS晶体管Q1的体区与第1存取MOS晶体管Q5的体区经元件隔离绝缘膜14下方的SOI层13相互电连接。因而，存取MOS晶体管Q5在其栅电极与体区之间形成用接触45连接的DTMOS结构，接触45还与第1驱动晶体管Q1的体区电连接。

主权项

1.一种半导体存储器件，其特征在于：具备SRAM(静态随机存取存储器)单元，其中具有：存取MOS(金属-氧化物-半导体)晶体管；驱动MOS晶体管；以及连接字线与上述存取MOS晶体管的栅电极的接触，上述接触与上述存取MOS晶体管和上述驱动MOS晶体管中的至少一方的体区电连接。