用于制造闪存器件的方法

摘要

一种用于制造闪存器件的方法，形成闪存单元和选择晶体管的工艺包括通过形成用于浮置栅极的多晶硅层的工艺、形成电介质层的工艺以及形成用于控制栅极的多晶硅层、形成电介质层和随后除去要形成选择晶体管的区域中的电介质层的工艺。此外，在形成闪存单元和选择晶体管的工艺中，通过形成用于浮置栅极的多晶硅层的工艺、形成电介质层的工艺以及形成用于控制栅极的多晶硅层、在整个结构上形成层间绝缘层并随后形成接触、全部除去要形成选择晶体管的区域中用于浮置栅极的多晶硅层上的电介质层和用于控制栅极的多晶硅层的工艺，从而直接电连接用于浮置栅极的多晶硅层和接触插塞。

主权项

1、一种用于制造闪存器件的方法，包括如下步骤：提供具有隔离区、单元区和外围电路区的半导体衬底；在半导体衬底上形成多晶硅层图形；其中第一多晶硅层图形包括用于字线的第一多晶硅图形和用于选择线的第二多晶硅图形；在多晶硅层图形和半导体衬底上形成电介质层；可选择性地除去在用于选择线的第二多晶硅层图形上的电介质层；在用于选择线的第二多晶硅层图形和覆盖用于字线的第一多晶硅层图形的第一电介质层上形成第二多晶硅层和导电材料；执行构图工艺以形成选择线和字线。