场响应增强的磁元件及其制造方法

摘要

一个改善的和新的器件和一个磁元件的制造方法，更特别地，一个磁元件(10)包括一第一电极(14)，一第二电极(18)，和一个隔离层(16)。第一电极(14)包括一个固定的铁磁层(26)。一第二电极(18)包括一个自由的铁磁层(28)。一个隔离层(16)位于固定的铁磁层(26)和自由的铁磁层(28)之间，隔离层(16)。至少一个附加层(20&22)被提供在底部金属层(13)和隔离层(16)之间。底部金属层(13)或者位于底部金属层(13)和隔离层(16)之间的至少一个层具有一个X射线非晶体结构，以使在自由铁磁层(28)和固定铁磁层(26)之间的拓扑耦合强度可以被减少。

主权项

1.一个磁元件，其特征是：一个底部金属(13)层，具有一上表面；一第一电极(14)，被放置在底部金属层的上表面，第一电极包括一个铁磁层(26)；一第二电极(18)，被放置在与第一电极隔开的位置，第二电极包括一个铁磁层(28)；其中，第一电极和第二电极的铁磁层组合地包括一个固定的铁磁层(26)和一个自由的铁磁层(28)，在出现了能够切换自由层的一个外加磁场时，固定的铁磁层的磁化被固定在一个优选方向上，并且在出现了一个外加磁场时，自由铁磁层具有能够在磁化状态之间自由旋转的一个磁化；一个隔离层(16)，位于第一电极的铁磁层和第二电极的铁磁层之间；其中在隔离层下面所形成的一层是一个X射线非晶体结构，以使在自由铁磁层和固定铁磁层之间的拓扑耦合强度可以被减少；和一个衬底(12)，底部金属层、第一和第二电极、和隔离层均被形成在衬底上。