发明名称 制造具有至少一个金属化平面的集成电路的方法
摘要 将电介质层安放到衬底(4)上用于制造具有导线和接触的金属化平面。首先进行穿过最上面两个电介质层进入位于其下电介质层的接触孔刻蚀,在此情况下此层的剩下的厚度基本上等于最上面层的厚度。随后对基本上同时暴露出其表面的第一电介质层和第三电介质层选择性地进行导线沟槽的刻蚀。在第一电介质层和第三电介质层的结构化之后生成在接触孔和导线沟槽中的接触和导线。
申请公布号 CN1192427C 申请公布日期 2005.03.09
申请号 CN00812027.7 申请日期 2000.08.18
申请人 因芬尼昂技术股份公司 发明人 S·施瓦尔滋;M·恩格哈德特;F·克雷罗普
分类号 H01L21/768;H01L21/311 主分类号 H01L21/768
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 郑立柱;张志醒
主权项 1.一种制造具有至少一个金属化平面的集成电路的方法,包括如下步骤:将一个第一电介质层、一个第二电介质层、一个第三电介质层和一个第四电介质层顺序施加到衬底的一个表面上,其中第一电介质层和第三电介质层,以及第二电介质层和第四电介质层分别具有相同的刻蚀性能,并且第二电介质层的厚度和第四电介质层的厚度互相不同,采用规定接触孔布置的一个第一刻蚀掩模,如果第二电介质层的厚度大于第四电介质层的厚度的话,则刻蚀穿过第四电介质层和第三电介质层进入到第二电介质层,并使第二电介质层剩下的厚度等于第四电介质层的厚度,采用规定导线沟槽布置的一个第二刻蚀掩模,首先对第四电介质层和第二电介质层执行非选择性的刻蚀过程,使得第三电介质层和第一电介质层的表面不被暴露;然后相对于第三电介质层选择性地对第四电介质层执行选择性的刻蚀过程和相对于第一电介质层选择性地对第二电介质层执行选择性的刻蚀过程,直到暴露出第一电介质层和第三电介质层的下面的表面时为止,刻蚀第三电介质层和第一电介质层,直到分别暴露出位于其下面的表面时为止,在接触孔中和在导线沟槽中生成金属化平面的含有金属的接触和导线。
地址 德国慕尼黑