发明名称 | 成膜方法、配线图案的形成方法、半导体装置的制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种高效率、高生产性能,可形成高信赖性膜的成膜方法。本发明的成膜方法,其特征在于,在通过将基体材料(5)上形成的转印层(6)转印在被处理材料(1)上,该被处理材料(1)上形成所定膜的成膜方法中,包括对被处理材料(1)的表面,利用化学的相互作用,提高上述转印层(6)对该处理材料(1)密接性的表面处理工序。 | ||
申请公布号 | CN1591108A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
申请号 | CN200410074936.5 | 申请日期 | 2004.09.01 |
申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 丰田直之 |
分类号 | G02F1/133 | 主分类号 | G02F1/133 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
主权项 | 1.一种成膜方法,是在通过将基体材料上形成的转印层转印在被处理材料上,在该被处理材料上形成所定膜的成膜方法,其特征在于,包括:对上述被处理材料的表面,通过化学的相互作用,提高上述转印层对该被处理材料的密接性的表面处理工序。 | ||
地址 | 日本东京 |