发明名称 超低介电常数多孔材料的双重镶嵌集成
摘要 提供了一种双重镶嵌互连结构,它具有在衬底上的图形化多层旋涂介质。此图形化多层旋涂介质包括:帽层;第一无孔通路层面低介电常数介质层,其上具有带底部和侧壁的金属通路导体;腐蚀停止层;第一多孔低介电常数线条层面介质层,其上具有带底部和侧壁的金属线条导体;第一多孔低介电常数介质上的抛光停止层;用来涂敷和整平线条和通路侧壁的第二薄无孔低介电常数介质层;以及在金属通路和线条导体与介质层之间的衬里材料。还提供了一种制作双重镶嵌互连结构的方法。
申请公布号 CN1591858A 申请公布日期 2005.03.09
申请号 CN200410057524.0 申请日期 2004.08.17
申请人 国际商业机器公司 发明人 考什克·A·库玛;凯利·马隆;克里斯蒂·S·泰伯格
分类号 H01L23/52;H01L21/768 主分类号 H01L23/52
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种双重镶嵌互连结构,它包含:衬底上的图形化多层介质,它包含:帽层;第一无孔通路层面低介电常数介质层,其上具有带底部和侧壁的金属通路导体;腐蚀停止层;第一多孔低介电常数线条层面介质层,其上具有带底部和侧壁的金属线条导体;所述第一多孔低介电常数介质上的抛光停止层;用来涂敷和整平线条和通路侧壁的第二薄无孔低介电常数介质层;以及所述金属通路和线条导体与所述介质层之间的衬里材料。
地址 美国纽约