| 发明名称 | 形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法。该方法定义硅晶种以形成多晶硅层，其包括以下步骤。首先，在一基板上形成一牺牲层，图案化此牺牲层，以在此牺牲层中形成一开口。接着，在牺牲层和基板上形成一第一非晶硅层，蚀刻此第一非晶硅层，而于开口内留下硅晶种。接着，除去牺牲层，在硅晶种上形成一第二非晶硅层。最后，使第二非晶硅层结晶而形成一多晶硅层。本发明可精确控制硅晶种在沟道区位置产生，可增大晶粒尺寸，并可降低沟道区所涵盖的晶界数目。 | ||
| 申请公布号 | CN1591801A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN03155605.1 | 申请日期 | 2003.08.29 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 翁健森;张志清 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种定义硅晶种以形成多晶硅层的方法，其包括：在一基板上形成一牺牲层；图案化该牺牲层，以在该牺牲层中形成一开口；在该牺牲层和该基板上形成一第一非晶硅层；蚀刻该第一非晶硅层，而于开口内留下硅晶种；除去该牺牲层；在该硅晶种上形成一第二非晶硅层；以及使该第二非晶硅层结晶而形成一多晶硅层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||