| 发明名称 | 内联机结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种内联机结构，是在介电层中形成一开口，再以原子层沉积法(ALD)在开口侧壁与底部上形成扩散阻障层与低阻值金属层作为复合式扩散阻障层，以阻隔后续形成的铜导线扩散并增进其附着力。较佳的复合式扩散阻障层为以原子层沉积法形成的双层式TiN、双层式TaN、三层式Ta/TaN/富Ta的TaN复合层或三层式Ta/TaN/Ta复合层。 | ||
| 申请公布号 | CN1591856A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN200410049684.0 | 申请日期 | 2004.06.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;曾鸿辉;章勋明;胡正明 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种内联机结构，其特征是，包含：一半导体基底，其上具有一第一导体；一介电层，覆盖于该半导体基底上，该介电层上具有一开口，以露出该第一导体；一复合式扩散阻障层，是以原子层沉积法形成，内衬于该开口的侧壁与底部；以及一第二导体，填充于该开口中，以与该第一导体成电性连结。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||