半导体器件的制造方法

摘要

一种制造具有电容器的半导体器件的方法，其中电容器是镶嵌式形成在半导体衬底和部分高密度存储器的腔中。一个实施例首先在腔中形成下电极，然后用牺牲层填满腔以容许至少一个电容器电极的化学机械抛光。去掉部分下电极和部分牺牲层后，形成绝缘层。然后在绝缘层上形成上电极。如此形成的绝缘层隔离下电极和上电极，以防止短路和漏电流。在一个实施例中，形成一个上电极层以用于多个下电极，这样减少了存储器电路的复杂性。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成第一绝缘层；构图第一绝缘层以限定第一电容器腔；形成覆盖第一绝缘层的第一电容器电极；形成覆盖第一电容器电极并在第一电容器腔内的电容器绝缘层；形成覆盖电容器绝缘层的第二电容器电极。