发明名称 | 制作滤光片的方法 | ||
摘要 | 本发明为一种制作滤光片的方法,可增加一半导体晶片上的一滤光片附着力;该半导体晶片上包含有一基底,复数个金属氧化半导体(MOS)晶体管感测器设于该基底上,以及复数个绝缘物分别设于任两MOS晶体管感测器间的该基底上;该方法是先于该半导体晶片上形成一介电层,覆盖各该MOS晶体管感测器以及各该绝缘物;接着于该介电层上形成一保护层,然后于该保护层内形成复数个设置于相对应的一MOS晶体管感测器上方的滤光凹槽;最后于每一滤光凹槽中各形成一滤光片;本发明因在保护层中形成复数个滤光凹槽,可增加滤光片与保护层的接触面积,以增加其附着力,解决滤光片容易剥落的问题,且蚀刻出的滤光凹槽深度可相对增加形成于各滤光凹槽中的滤光片膜厚,进而加强滤光效果,减少跨越干扰现象。 | ||
申请公布号 | CN1192440C | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
申请号 | CN02124708.0 | 申请日期 | 2002.06.21 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 叶拯邦;陈庆忠 |
分类号 | H01L31/18;H01L21/00 | 主分类号 | H01L31/18 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈红 |
主权项 | 1.一种增加一半导体晶片上的一滤光片附着力的方法,该半导体晶片上包含有一基底,多个金属氧化半导体晶体管感测器设于该基底上,以及多个绝缘物分别设于任两金属氧化半导体晶体管感测器间的该基底上,其特征是:该方法包含有下列步骤:于该半导体晶片上形成一介电层,覆盖该金属氧化物半导体晶体管感测器以及该绝缘物;于该介电层上形成一保护层;于该保护层内形成多个滤光凹槽,其中每一滤光凹槽设置于相对应的一金属氧化半导体晶体管感测器上方;以及于每一滤光凹槽中各形成一滤光片;其中该滤光凹槽用来增加该滤光片与该保护层的接触面积,以避免该滤光片发生剥落。 | ||
地址 | 台湾省新竹市 |