Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung mit Oxidfilmschichten verschiedener Stärken

摘要

Nachdem eine erste Gateoxidschicht (302) an einem Substrat (301) gebildet worden ist, wird eine Nitridlage (303) durch einen ersten Oxynitridierprozeß gebildet. Die erste Gateoxidschicht wird von einem dünneren Schichtteilbereich des Substrats selektiv entfernt. Ein zweiter Gateoxidschichtbildungsprozeß bildet eine zweite Gateoxidschicht (305A) im dünneren Schichtteilbereich und eine dritte Gateoxidschicht (305B) in einem dickeren Schichtteilbereich. Durch Ausführung des zweiten Oxynitridierprozesses werden Nitridlagen (306A und 306B) an den dünneren und dickeren Teilbereichen gebildet.