发明名称 |
MRAM und Verfahren zu dessen Herstellung |
摘要 |
Es werden ein MRAM und ein Verfahren zum Herstellen einer Verbindungsstruktur in einem solchen angegeben. Ein Verfahren gemäß einer beispielhaften Ausführungsform beinhaltet die folgenden Schritte: DOLLAR A - Herstellen einer magnetischen Stapelschicht auf einer unteren Metallisierungsebene, wobei diese magnetische Stapelschicht über eine nicht-ferromagnetische Schicht verfügt, die zwischen einem Paar ferromagnetischer Schichten angeordnet ist; DOLLAR A - Herstellen einer leitenden Hartmaske auf der magnetischen Stapelschicht und DOLLAR A - Entfernen ausgewählter Abschnitte der Hartmaske und der magnetischen Stapelschicht, um dadurch ein Array von MTJ-Stapeln zu erzeugen, die verbliebene Anteile der magnetischen Stapelschicht und der Hartmaske enthalten; DOLLAR A - wobei die Hartmaske zwischen der magnetischen Stapelschicht und einer oberen Metallisierungsebene, die anschließend über den MTJ-Stapeln hergestellt wird, einen Selbstausrichtungskontakt bildet.
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申请公布号 |
DE102004034822(A1) |
申请公布日期 |
2005.03.03 |
申请号 |
DE200410034822 |
申请日期 |
2004.07.19 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;IBM CORP., ARMONK |
发明人 |
NING, XIAN JAY;NUETZEL, JOACHIM;WILLE, WILLIAM |
分类号 |
G11C11/15;H01L21/8246;H01L27/22;(IPC1-7):H01L27/22;H01L21/768 |
主分类号 |
G11C11/15 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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