发明名称 MRAM und Verfahren zu dessen Herstellung
摘要 Es werden ein MRAM und ein Verfahren zum Herstellen einer Verbindungsstruktur in einem solchen angegeben. Ein Verfahren gemäß einer beispielhaften Ausführungsform beinhaltet die folgenden Schritte: DOLLAR A - Herstellen einer magnetischen Stapelschicht auf einer unteren Metallisierungsebene, wobei diese magnetische Stapelschicht über eine nicht-ferromagnetische Schicht verfügt, die zwischen einem Paar ferromagnetischer Schichten angeordnet ist; DOLLAR A - Herstellen einer leitenden Hartmaske auf der magnetischen Stapelschicht und DOLLAR A - Entfernen ausgewählter Abschnitte der Hartmaske und der magnetischen Stapelschicht, um dadurch ein Array von MTJ-Stapeln zu erzeugen, die verbliebene Anteile der magnetischen Stapelschicht und der Hartmaske enthalten; DOLLAR A - wobei die Hartmaske zwischen der magnetischen Stapelschicht und einer oberen Metallisierungsebene, die anschließend über den MTJ-Stapeln hergestellt wird, einen Selbstausrichtungskontakt bildet.
申请公布号 DE102004034822(A1) 申请公布日期 2005.03.03
申请号 DE200410034822 申请日期 2004.07.19
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;IBM CORP., ARMONK 发明人 NING, XIAN JAY;NUETZEL, JOACHIM;WILLE, WILLIAM
分类号 G11C11/15;H01L21/8246;H01L27/22;(IPC1-7):H01L27/22;H01L21/768 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人
主权项
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