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Herstellungsverfahren für eine Grabenstruktur, insbesondere für einen Grabenkondensator mit einem Isolationskragen, der über einen vergrabenen Kontakt einseitig mit einem Substrat elektrisch verbunden ist. DOLLAR A Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Grabenstruktur, insbesondere für einen Grabenkondensator mit einem Isolationskragen (10; 10a, 10b) in einem Substrat (1), der über einen vergrabenen Kontakt (15a, 15b) einseitig mit dem Substrat (1) elektrisch verbunden ist, mit den Schritten: Vorsehen von einem Graben (5) in dem Substrat (1) unter Verwendung einer Hartmaske (2, 3) mit einer entsprechenden Maskenöffnung; Vorsehen einer zumindest teilweisen Grabenfüllung (10, 20, 30, 40); Vorsehen eines Liners (500) auf der resultierenden Struktur; Durchführen einer schrägen Implantation (I3) von Fremdionen auf den Liner (500) zum Verändern der Ätzeigenschaften eines implantierten Teilbereichs (500') des Liners (500); selektives Entfernen des implantierten Teilbereichs (500') des Liners (500) durch eine erste Ätzung zum Bilden einer Liner-Maske aus dem komplemenären Teilbereich (501) des Liners (500), welche die Oberseite der Grabenfüllung (10, 20, 30, 40) teilweise maskiert; Entfernen eines Teils der Grabenfüllung (10, 20, 30, 40) durch eine zweite Ätzung unter Verwendung der Liner-Maske; und Ersetzen des entfernten Teils der Grabenfüllung (10, 20, 30, 40).
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