| 摘要 |
<p>Verfahren zur Verbesserung elektrischer Eigenschaften aktiver Bipolarbauelemente. Bei den bisher bekannten Verfahren zur Verbesserung elektrischer Eigenschaften aktiver Bipolarbauelemente wird die Steuerfähigkeit eines Eingangssignales über ein Ausgangssignal stark beeinträchtigt, oder es wird, vor allem im Hochfrequenzbereich, das transiente Verhalten bei gegebener Sperrfähigkeit nur geringfügig verbessert. Bei dem neuen Verfahren werden dreischichtige durch fünfschichtige Halbleiteranordnungen ersetzt, während gleichzeitig mithilfe eines Heteroüberganges die Neigung fünfschichtiger Halbleiteranordnungen zu thyristorähnlichem Verhalten unterdrückt wird. Durch das neue Verfahren werden insbesondere die Hochfrequenzeigenschaften und die Sperrfähigkeit aktiver Bipolarbauelemente verbessert, während die Steuerfähigkeit eines Eingangssignales über ein Ausgangssignal weitgehend erhalten wird.</p> |
