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Es wird ein Verfahren zum Herstellen von Attrappen-Füllstrukturen angegeben, das den strengen Erfordernissen hinsichtlich der Einebnung von MRAM(Magnetic Random Access Memory)-Bauelementen und anderen Halbleiter-Bauelementen entspricht, wobei an Silicium-Nutzfläche gewonnen wird und Leiterbahnebenen maximal genutzt werden. Bei diesem Verfahren wird eine Opfer- oder Attrappenschicht aus einem dielektrischen Material wie SiO¶2¶ abgeschieden, um vor den Einebnungsschritten Attrappen-Füllstrukturen auszubilden. Die isolierenden Attrappen-Füllstrukturen ermöglichen die Verwendung billigerer Lithographie- und Ätzververfahren. Auch sorgen diese Attrappen-Füllstrukturen für Unterstützung während eines CMP-Prozesses, bei dem die aktiven Bauelemente eingeebnet werden, bevor eine andere SiO¶2¶-Schicht abgeschieden wird und Metallisierungsleitungen geätzt werden. Da die Attrappenstrukturen aus einem Dielektrikum statt aus leitenden Materialien hergestellt werden, ist die Gefahr von Kurzschlüssen zwischen Metallisierungsebenen sowie zwischen aktiven Bauelementen und Metallisierungsleitungen verringert.
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