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Die Erfindung betrifft eine optisch gepumpte strahlungsemittierende Halbleitervorrichtung mit einer oberflächenemittierenden Quantentopfstruktur (10), die mindestens eine Quantenschicht (11) aufweist, und einer aktiven Schicht (8) zur Erzeugung von Pumpstrahlung (9) zum optischen Pumpen der Quantentopfstruktur (10), die parallel zu der Quantenschicht (11) angeordnet ist, wobei die Halbleitervorrichtung mindestens einen Emissionsbereich (12), in dem die Quantentopfstruktur (10) optisch gepumpt wird, und mindestens einen Pumpbereich (13) aufweist, sich die Quantentopfstruktur (10) und die aktive Pumpschicht (8) (9) über den Pumpbereich (13) und über den Emissionsbereich (12) der Halbleitervorrichtung erstrecken und die Pumpstrahlung (9) in lateraler Richtung in den Emissionsbereich (12) eingekoppelt wird.
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