| 发明名称 |
Verfahren zum Bilden eines Halbleiterelements |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19842419(B4) |
申请公布日期 |
2005.03.03 |
| 申请号 |
DE1998142419 |
申请日期 |
1998.09.16 |
| 申请人 |
PRESIDENT OF TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE & TECHNOLOGY, FUCHU |
发明人 |
SAMESHIMA, TOSHIYUKI |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/306;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/77;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/786;H01L31/04;(IPC1-7):H01L21/84 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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