发明名称 |
直接出射白光的高亮度功率型LED芯片 |
摘要 |
本发明是一种直接出射白光的高亮度功率型LED芯片,其结构是:设有至少两个发射不同主波长光的有源区,每一个有源区具有各自的光波导限制层;两种或者多种主波长不同的光谱混合在一起产生白光;其两侧的解理腔面都镀有反射膜,形成光子谐振腔;光出射方向为全侧面出光,此种结构适合GaN基或ZeSe基的LED,或者其它材料的LED;其衬底是蓝宝石衬底,或SiC衬底,或者别的衬底材料。本发明克服了现有的白光LED在结构、封装方面,以及亮度不够高、发光效率和发光功率小、制作工艺复杂等方面存在的缺陷,更适合在照明市场的广泛应用。 |
申请公布号 |
CN1588656A |
申请公布日期 |
2005.03.02 |
申请号 |
CN200410060708.2 |
申请日期 |
2004.08.11 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
刘德明;黄黎蓉;刘陈;黄德修 |
分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 |
代理人 |
王守仁 |
主权项 |
1.一种直接出射白光的高亮度功率型LED芯片,其特征在于:设有至少两个发射不同主波长光的有源区,每一个有源区具有各自的光波导限制层;两种或者多种主波长不同的光谱混合在一起产生白光;其两侧的解理腔面都镀有反射膜,形成光子谐振腔;光出射方向为全侧面出光,上述结构适合氮化镓(GaN)基或硒化锌(ZeSe)基的LED,或者其它材料的LED;其衬底是蓝宝石衬底,或碳化硅(SiC)衬底,或者别的衬底材料。 |
地址 |
430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号南五楼311室 |