蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法

摘要

本发明揭示一种新的半导体元件的制造方法，具体有关一种蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法。首先提供一半导体底材，其上具有一闸极介电层。然后，形成一多晶硅层于闸极介电层上。接着，形成一具有第一厚度的介电层于多晶硅层上。之后，形成且限定一光阻层于介电层上。借由作为一蚀刻罩幕的光阻层与一至少包含一C₂F₆与一CH₂F₂的当成蚀刻剂的混合气体蚀刻介电层且过蚀刻多晶硅层至一第二厚度为止，以形成一具有梯形轮廓的硬遮层，其中，第二厚度约为第一厚度的一半。随后，去除光阻层。接着，借由当成一蚀刻罩幕的硬遮层蚀刻多晶硅层以形成一多晶硅闸极。

主权项

1.一种蚀刻多晶硅层的方法，其特征在于，至少包括下列步骤：提供一半导体底材，所述半导体底材上具有一第一介电层；形成一多晶硅层于所述第一介电层上；形成一第二介电层于所述多晶硅层上；形成一光阻层于所述第二介电层上；提供一具有碳氟比与一碳氢氟比的混合气体当成一蚀刻剂；借由所述光阻层当成一蚀刻罩幕与所述蚀刻剂蚀刻所述第二介电层直到过蚀刻所述多晶硅层至一预定厚度为止，且形成一具有梯形轮廓的硬遮层；去除所述光阻层；与借由所述硬遮层当成一蚀刻罩幕蚀刻所述多晶硅层，以形成一多晶硅区于所述第一介电层上。