发明名称 |
一种透明导电薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种新的透明导电薄膜及其制备方法。该薄膜以氧化铟为主氧化物,以六价元素钼或钨为掺杂元素。制备时,在玻璃基板上先镀一层氧化铟作为防扩散阻挡层,然后掺杂,控制掺杂元素的掺入量,制得透明导电薄膜氧化铟钼(钨)。该薄膜具有良好的导电性能,制备工艺也简单。 |
申请公布号 |
CN1191592C |
申请公布日期 |
2005.03.02 |
申请号 |
CN00115362.5 |
申请日期 |
2000.04.11 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
章壮健;杨锡良;陈华仙;孟杨;沈杰 |
分类号 |
H01B5/14;H01L31/00;C23C14/22;C23C14/08 |
主分类号 |
H01B5/14 |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 |
代理人 |
陆飞 |
主权项 |
1.一种透明导电薄膜的制备方法,以玻璃为基板,其特征在于用真空镀膜法,先在基板上镀一层氧化铟薄膜作为防扩散阻挡层,其厚度为30-50nm,然后掺杂,控制掺杂元素X的掺入量为薄膜中氧化铟总重量的3-5%,制得透明导电薄膜In2O3:X,这里X为Mo或W,其中沉积速率和薄膜的厚度采用光干涉法在线实时监控。 |
地址 |
200433上海市邯郸路220号 |