发明名称 一种透明导电薄膜的制备方法
摘要 本发明涉及一种新的透明导电薄膜及其制备方法。该薄膜以氧化铟为主氧化物,以六价元素钼或钨为掺杂元素。制备时,在玻璃基板上先镀一层氧化铟作为防扩散阻挡层,然后掺杂,控制掺杂元素的掺入量,制得透明导电薄膜氧化铟钼(钨)。该薄膜具有良好的导电性能,制备工艺也简单。
申请公布号 CN1191592C 申请公布日期 2005.03.02
申请号 CN00115362.5 申请日期 2000.04.11
申请人 复旦大学 发明人 章壮健;杨锡良;陈华仙;孟杨;沈杰
分类号 H01B5/14;H01L31/00;C23C14/22;C23C14/08 主分类号 H01B5/14
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 代理人 陆飞
主权项 1.一种透明导电薄膜的制备方法,以玻璃为基板,其特征在于用真空镀膜法,先在基板上镀一层氧化铟薄膜作为防扩散阻挡层,其厚度为30-50nm,然后掺杂,控制掺杂元素X的掺入量为薄膜中氧化铟总重量的3-5%,制得透明导电薄膜In2O3:X,这里X为Mo或W,其中沉积速率和薄膜的厚度采用光干涉法在线实时监控。
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