改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法

摘要

本发明涉及一种In改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法，特征在于在HVPE生长GaN的过程中采用了In辅助外延生长。它是通过在HVPE反应室中同时放置镓(Ga)舟和In舟来实现的。Ga舟和In舟放在相同的温区，或放在不同的温区，HCl气体流过Ga舟和In舟，通过对于产生的InCl和GaCl的量进行调节，满足生长的需要。GaN结晶膜的生长温度为1000－1100℃，在此温度下不会形成InGaN合金，其他条件与通常的HVPE生长GaN的条件相同。由于In的引入，Ga原子的表面迁移长度增加，而这对于生长速度很高的HVPE生长方式非常重要，可以使得生长的GaN的表面的平整度得到改进，且降低GaN结晶膜中的缺陷位错密度。

主权项

1.一种改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法，其特征在于氢化物气相外延生长GaN的同时引入In辅助源，并且与HCl气体反应生成的InCl和GaCl气体同时到达衬底表面，与NH3在1000-1100℃反应，外延生长GaN结晶膜。