用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法

摘要

本发明公开了一种用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法，衬底包括：基片，在基片上依次置有缓冲层、数字合金层、过渡层。制备方法采用常规的分子束外延或原子外延方法及后处理技术。通过不同的生长工艺条件和特定的结构解决了在晶格失配衬底上外延的HgCdTe材料位错密度高的问题。同时通过调节数字合金层中的y组分使该合金层相对HgCdTe后继外延层为红外透明，可用作背照射结构的各种红外焦平面探测器的嵌入式前截止带通滤光片。本方法适合于在Si、Ge、GaAs以及宝石衬底上外延高质量HgCdTe材料，可以满足背照射、正照射各种红外焦平面探测器结构的使用要求。

主权项

1.一种用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底，包括：基片(1)，其特征在于：在基片上通过分子束外延的方法依次置有缓冲层(2)、数字合金层(3)、过渡层(4)；所说的基片(1)为Si、Ge、GaAs或宝石材料；所说的缓冲层(2)为CdTe或ZnTe材料；所说的数字合金层(3)由[Hg1-xCdxTe/Hg1-yCdyTe]N材料制成，其中x和y分别是Cd的组分，N为Hg1-xCdxTe/Hg1-yCdyTe交替生长的周期数；所说的过渡层(4)由CdTe或ZnCdTe材料制成。