| 发明名称 | 用于存储器单元中的自举式高压开关电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种用于存储器单元中的自举式高压开关电路，其特点是：所述的高压开关电路由三个MOS管(M1、M2、M3)和一自举电容C组成；所述的MOS管(M1)和(M2)的栅极共接且与电源端Vdd连接，MOS管(M1)和(M2)的漏极共接且与逻辑控制信号in端连接；MOS管(M1)的源极与MOS管(M3)的栅极连接，MOS管(M3)的源极与高压信号HVin端连接；所述的自举电容上端与MOS管(M1)源极和MOS管(M3)栅极的共接点处，自举电容下端与MOS管(M2)的源极与MOS管(M3)的漏极共接且漏极在输出端vout处。本实用新型利用自举电容两端的电压不能突变的特性，使高压信号HVin到达高压时，输出端vout也随之到达高压，降低了功耗；并且由于只有四个元器件组成高压开关电路，不仅电路简洁且缩小了集成电路的面积，因此极为实用。 | ||
| 申请公布号 | CN2682540Y | 申请公布日期 | 2005.03.02 |
| 申请号 | CN200320123060.X | 申请日期 | 2003.12.31 |
| 申请人 | 上海贝岭股份有限公司 | 发明人 | 韩嘉;李向宏 |
| 分类号 | G11C16/12;G11C16/14 | 主分类号 | G11C16/12 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 潘帼萍 |
| 主权项 | 1.一种用于存储器单元中的自举式高压开关电路，其特征在于：所述的高压开关电路由三个MOS管(M1、M2、M3)和一自举电容C组成；所述的MOS管(MI)和(M2)的栅极共接且与电源端Vdd连接，MOS管(MI)和(M2)的漏极共接且与逻辑控制信号in端连接；MOS管(MI)的源极与MOS管(M3)的栅极连接，MOS管(M3)的源极与高压信号HVin端连接；所述的自举电容C的上端与MOS管(MI)源极和MOS管(M3)栅极的共接点处，自举电容C的下端与MOS管(M2)的源极与MOS管(M3)的漏极共接且漏极在输出端vout处。 | ||
| 地址 | 200233上海市宜山路810号 | ||