发明名称 | 常压射频低温冷等离子体放电通道装置 | ||
摘要 | 本实用新型公开一种常压射频低温冷等离子体放电通道装置,包括供气源,放电通道主体和射频电源,放电通道主体包括倒U形的外壳,其内部顶表面上设置有顶面绝缘体,两个内部侧表面上分别设置有侧面绝缘体;设置在顶面绝缘体的下表面上,位于两个侧面绝缘体之间并与射频电源相连的第一平板电极;及第二平板电极,其与外壳的开口端相连,与第一平板电极相对且平行,第二平板电极与第一电极相互绝缘,第二电极的中部设置有通孔,第一和第二平板电极及两个侧面绝缘体围成一个四周封闭、两端开口、横截面为长方形的长方体状的放电通道,供气源通过导管和通孔与放电通道连通。本实用新型等离子体放电装置,能够以较低击穿电压产生均匀大面积的等离子体。 | ||
申请公布号 | CN2682773Y | 申请公布日期 | 2005.03.02 |
申请号 | CN200420004986.1 | 申请日期 | 2004.03.18 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王守国 |
分类号 | H05H1/24;H05H1/28 | 主分类号 | H05H1/24 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 1、一种常压射频低温冷等离子体放电通道装置,包括供气源,其特征在于,所述常压射频低温冷等离子体放电通道装置还包括横截面为长方形的长方体状的放电通道主体和射频电源,其中所述放电通道主体包括:倒U形的外壳,在该外壳的内部顶表面上设置有顶面绝缘体,且在外壳的两个内部侧表面上分别设置有侧面绝缘体;第一平板电极,所述第一平板电极设置在所述顶面绝缘体的下表面上并且位于所述两个侧面绝缘体之间;及第二平板电极,所述第二平板电极与地相连,并且与第一平板电极相对、平行且间隔开预定距离,第二平板电极通过所述两个侧面绝缘体与第一电极相互绝缘,所述第二电极的中部设置有沿其厚度方向延伸的通孔,其中间隔开的第一和第二平板电极及所述两个侧面绝缘体一起围成一个两端开口、横截面为长方形的直放电通道,所述射频电源通过电缆与第一平板电极相连,所述供气源通过导管和所述通孔与放电通道相连通。 | ||
地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 |