一种减少穿遂缺陷密度之型变矽制造方法

摘要

本发明系有关于一种形变矽基材之制造方法及矽锗磊晶层之应变松弛机制，用以降低穿遂缺陷密度，降低表面粗糙度，提供电子元件成长之基材，进而改善高速电子元件之操作特性。该方法包括以下之步骤：提供一矽基板；于该矽基底板上形成一含多重量子点(multiple quantum dots)之矽锗缓冲层；于该矽缓冲层上形成一均匀SixGe1–x层，其中0＜x＜1；以及于该SixGe1–x层形成一形变矽层(strained silicon)。