发明名称 具宽频谱之氮化铝铟镓发光二极体及固态白光元件
摘要 本发明系关于一种具宽频谱之氮化铝铟镓发光二极体,其包括:一基板、一缓冲层、一N型披覆层、至少一量子点发光层又一P型披覆层。该缓冲层系形成于该基板上。该N型披覆层系形成于该缓冲层上,用以提供电子。该量子点发光层形成于该N型披覆层上,该量子点发光层具有复数个量子点,控制该等量子点之大小及铟含量,使该等量子点之特性分布不均匀,俾增加该量子点发光层之发光波长频谱半高宽。该P型披覆层形成于该量子点发光层之上,用以提供电洞。利用本发明之发光二极体结构,可制作具有宽频谱之氮化铝铟镓黄光发光二极体,其最大光强度发光波长可落在530nm–600nm范围内,半高宽为20nm~150nm。再与一氮化铝铟镓蓝光发光二极体封装成一固态白光元件,使蓝光与黄光混光,可产生高发光强度兼具调变各种色温之高演色性之白光。
申请公布号 TW200509411 申请公布日期 2005.03.01
申请号 TW092123734 申请日期 2003.08.28
申请人 新世纪光电股份有限公司 发明人 陈政权;陈铭章
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 台南县善化镇台南科学园区大利三路5号