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发明名称
用于控制磁性记忆体中的写入电流之方法与系统
摘要
所揭示系一些可用以控制磁性记忆体中的写入电流之方法与系统。在某些实施例中,此方法系包括:提供电流至多数之记忆体写入线(其中之写入线),可能系以磁性方式,使耦合至其至少之一记忆体元件);使一第一和第二多数之电晶体,耦合至其记忆体写入线之任一端部;以及改变该等第一和第二多数之电晶体内的个别电晶体之传导状态。
申请公布号
TW200509124
申请公布日期
2005.03.01
申请号
TW093105115
申请日期
2004.02.27
申请人
惠普研发公司
发明人
派纳;史密斯
分类号
G11C11/00
主分类号
G11C11/00
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
美国
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