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发明名称
半导体储存装置与评估方法
摘要
一种半导体储存装置,包括一记忆体单元阵列,其储存从外部输入之正常资料、一检查资料产生电路,其产生对应至该正常资料之检查资料、一检查储存区段,其储存该检查资料、以及一徵状产生电路,其根据该检查资料而藉由检查在读取资料中之位元错误来产生一徵状讯号,该读取资料藉由读取储存在该记忆体单元阵列中之正常资料而获得。再者,本装置包括徵状讯号处理电路,其根据该徵状讯号订正在该读取资料中之错误,且产生一内部错误位址讯号,代表该等位元错误已经发生之该记忆体单元阵列中这些记忆体单元之位址。
申请公布号
TW200509139
申请公布日期
2005.03.01
申请号
TW093114801
申请日期
2004.05.25
申请人
东芝股份有限公司
发明人
矢部友章
分类号
G11C29/00
主分类号
G11C29/00
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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