半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置，其包括：一形成于半导体基板上方之多孔薄膜，该多孔薄膜具有选自由一沟槽及一孔所组成之群的至少一埋式凹面；一形成于该埋式凹面之内部表面上的导电障壁层；一埋入于该埋式凹面内之导电部件，其中该导电障壁层插入于该多孔薄膜与该导电部件之间；及一形成于该多孔薄膜与该导电障壁层之间的混合层，且其含有该多孔薄膜之组份及该导电障壁层之组份。