高密度电浆化学气相沉积之多步骤间隙充填制程

摘要

兹提供一种利用循环高密度电浆化学气相沉积(HDP－CVD)、蚀刻以及沉积步骤之填充制程。于该第一沉积步骤期间该流动气体包括一如氦气之惰气，而于剩余之沉积步骤期间该流动气体则包括一如氢气之惰气。于该第一沉积步骤期间，较高平均分子量之该流动气体会于界定呈空隙之结构上形成若干尖峰(cusping)，以于蚀刻步骤期间保护结构。于剩余沉积步骤期间，较低平均分子量之该流动气体具有较低之溅镀特性，并在填充剩余空隙时效果较佳。