改良垂直电晶体通道之迁移率的方法

摘要

本发明提供一种改良垂直电晶体通道之迁移率的方法，其步骤包括：提供一形成有沟槽的半导体基底；在该沟槽之下半部形成一沟槽式电容；在该沟槽式电容上形成一导线结构；在沟槽露出之侧壁以及该导线结构上形成Si-Ge层上有应变矽层做为通道；在该导线结构上形成一沟槽顶介电层；形成闸极氧化层于该沟槽之侧壁上；填入导电材料于该沟槽中形成一闸极导电层；在沟槽露出之侧壁上形成介电间隙壁；以及以导电材料填满该沟槽形成导电层。