直接转换接收的频率变换电路,其半导体积体电路及直接转换接收机

摘要

在矽基板上形成高度HB、宽度WB的长方体之凸起部24，而在凸起部24的顶面及侧壁面的一部分上闸极氧化膜。在闸极电极26的两侧形成源极和汲极，以形成MOS(金氧半导体)电晶体。以此MOS电晶体构成频率变换电路及直接转换的接收电路，依此，可减低在直接转换接收的频率变换电路中的I信号和Q的信号之误差。