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发明名称
具有能带工程建构超晶格之半导体元件
摘要
一种半导体元件,其包含有一超晶格,而超晶格则包含有复数个堆叠的层群组。此元件亦包含可导致电荷载体于平行于堆叠层群组的方向上传输通过超晶格的区域。超晶格的每一个层群组各包含有界定了一个基底半导体部份的复数个的堆叠基底半导体单层以及其上之一能带修改层。并且,能带修改层包含有限定于相邻基底半导体部份的一晶体晶格内的至少一个非半导体单层。如此即可使超晶格在平行方向上具有比无此构造存在时为高的电荷载体动性。
申请公布号
TW200509388
申请公布日期
2005.03.01
申请号
TW092130131
申请日期
2003.10.29
申请人
R. J. 米尔斯公司
发明人
罗勃 J. 米尔斯;琴 奥古斯丁 张寿府易东;YIPTONG;马瑞克 海太;史考特 A. 克雷帕斯;易理佳 杜克斯基
分类号
H01L29/15
主分类号
H01L29/15
代理机构
代理人
陈慧玲
主权项
地址
美国
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