用以改良浅沟槽隔离区步阶均匀性之浅沟槽隔离区形成方法

摘要

揭示一种用以改良半导体装置中浅沟槽隔离区步阶均匀性之浅沟槽隔离区形成方法。此方法系在形成有浅沟槽隔离区之半导体结构上沉积一氧化层，并在氧化层上形成一平坦化材料层之后，再实行化学机械研磨处理。藉由本发明之方法，浅沟槽隔离区(STI)步阶之均匀性可提升。