发明名称 单结晶之制造方法及矽单结晶晶圆
摘要 提供一种单结晶之制造方法,系以柴氏长晶法在单结晶拉晶装置11之长晶室1内使非活性气体流入,并将从原料融液2拉晶出之单结晶3以整流筒4包围;其特征在于:在单结晶径向之环状OSF区域外侧的N区域进行单结晶之拉晶时,当待拉晶之单结晶直径为D(mm),系以该单结晶与整流筒间之非活性气体流量0.6D(L/min)以上、且长晶室内的压力0.6D(hPa)以下的条件,进行该N区域之单结晶拉晶。整流筒较佳为使用至少表面的Fe浓度为0.005ppm以下者。藉此,可提供一种单结晶之制造方法,当藉由CZ法以具备整流筒的装置来制造单结晶时,可制造出低缺陷且外周部之Fe浓度降到1×10^10atoms/cm^3以下之单结晶。
申请公布号 TW200508429 申请公布日期 2005.03.01
申请号 TW093124770 申请日期 2004.08.18
申请人 信越半导体股份有限公司 发明人 布施川泉;三田村伸晃;柳町隆弘
分类号 C30B15/00 主分类号 C30B15/00
代理机构 代理人 林镒珠
主权项
地址 日本