半导体模造锭片之制法,自该制法所得之半导体模造锭片及利用其所得之半导体装置

摘要

一种半导体模造锭片之制法，该制法因锭片密度的增高，故可减少封装体空隙的形成。该制法包含下列步骤：一混练步骤，混练环氧树脂组成物，该组成物包含(A)环氧树脂、(B)酚系树脂、及(C)无机填充剂等成分作为主要成分；一滚轧模造步骤，将所得混练后之组成物滚轧模造成为具有片材密度比为98%或以上之片材形状；一粉化步骤，粉化所得片材形状压密体；以及一成形步骤，将粉化后之材料成形为具有锭片密度比为94%或以上而小于98%之锭片形状。