具有嵌壁式源极和汲极区域极薄主体电晶体的结构与形成方法

摘要

一种形成具有嵌壁式源极和汲极区域的极薄主体电晶体方法，包括：提供一介电层上有半导体层之基板，其中半导体层上包括一闸极，且闸极两侧各包括一侧壁层。接着，以闸极为一罩幕蚀刻基板上之半导体层及介电层，以形成一凸状区域位于闸极下，同时移除闸极两侧之侧壁层。形成一半导体侧壁层于凸状区域之间隙壁及形成一侧壁介电层于闸极间隙壁。