| 主权项 |
1.一种检测与修正错误(Error Checking And Correcting;ECC)之方法,至少包括:于一第一记忆体更新(Refresh)时脉中决定储存于欲更新之一记忆体元件中之一资讯内是否存在一错误;以及若该资讯内包括该错误,则于一第二记忆体更新时脉中,将已修正之该资讯写入至该记忆体元件中。2.如申请专利范围第1项所述之检测与修正错误之方法,其中该错误为一单位元错误。3.如申请专利范围第1项所述之检测与修正错误之方法,其中该错误为一多位元错误。4.如申请专利范围第1项所述之检测与修正错误之方法,其中该第二记忆体更新时脉紧接在该第一记忆体更新时脉之后。5.如申请专利范围第4项所述之检测与修正错误之方法,其中在该第一记忆体更新时脉与该第二记忆体更新时脉间更包括至少一记忆体存取时脉。6.如申请专利范围第1项所述之检测与修正错误之方法,其中该决定步骤更至少包括:检测储存于该记忆体元件中之该资讯;以及使用该资讯以决定该错误之存在。7.如申请专利范围第1项所述之检测与修正错误之方法,其中在该第一记忆体更新时脉中更至少包括:若在该资讯中检测出该错误,则修正该错误;以及若检测出该错误,则将一控制値设定成一指定値。8.如申请专利范围第7项所述之检测与修正错误之方法,其中若该控制値等于该指定値,则将已修正之该资讯写入至该记忆体元件中。9.如申请专利范围第8项所述之检测与修正错误之方法,其中该写入步骤更包括将该控制値设定成一第二指定値。10.如申请专利范围第8项所述之检测与修正错误之方法,其中若该控制値与该指定値相异,则在该第二记忆体更新时脉中更包括更新一第二记忆体元件中之一第二资讯。11.如申请专利范围第7项所述之检测与修正错误之方法,其中该控制値为一旗标(Flag)。12.一种在动态随机存取记忆体(Dynamic Random AccessMemory;DRAM)的更新时脉中检测与修正错误之方法,至少包括:提供一动态随机存取记忆体;以及在该动态随机存取记忆体之一更新时脉中检测与修正一资料。13.如申请专利范围第12项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之方法,其中更至少包括:提供一更新控制器,藉以产生一更新位址并根据一更新周期来发出一更新命令以启始该更新时脉;将该更新位址传送至一位址暂存器(Register)与多工器(Multiplexer),并将该更新命令发送至该位址暂存器与多工器以及一资料暂存器与多工器;将该更新位址传送至一位址解码器中以读取一记忆体阵列中之该资料至一资料读取/写入缓冲区;以及利用一错误修正码电路检测并修正该资料。14.如申请专利范围第13项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之方法,其中若检测出该资料中具有一错误,则该方法更至少包括:建立一正确资料储存于该资料暂存器与多工器中之一资料暂存器中;以及自该错误修正码电路送出一错误检出讯号至该更新控制器中以停止产生另一更新位址,并于另一更新时脉中将该正确资料写入至该记忆体阵列中。15.如申请专利范围第14项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之方法,其中若未检测出该资料中具有该错误,则该方法更至少包括自该更新控制器中产生又一更新位址并发出另一更新命令以根据该更新周期来启始另一更新时脉。16.如申请专利范围第15项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之方法,其中该错误为一软错误(Soft Error)。17.如申请专利范围第16项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之方法,其中该错误系由粒子或杂讯所导致。18.一种在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之方法,至少包括:提供一更新控制器,藉以产生一更新位址并根据一更新周期来发出一更新命令以启始一更新循环;将该更新位址传送至一位址暂存器与多工器,并将该更新命令发送至该位址暂存器与多工器以及一资料暂存器与多工器;将该更新位址传送至一位址解码器中以读取一记忆体阵列中之一资料至一资料读取/写入缓冲区;以及利用一错误修正码电路检测并修正该资料。19.如申请专利范围第18项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之方法,其中若检测出该资料中具有一错误,则该方法更至少包括:建立一正确资料储存于该资料暂存器与多工器中之一资料暂存器中;以及自该错误修正码电路送出一错误检出讯号至该更新控制器中以停止产生另一更新位址,并于另一更新循环中将该正确资料写入至该记忆体阵列中。20.如申请专利范围第19项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之方法,其中若未检测出该资料中具有该错误,则该方法更至少包括自该更新控制器中产生又一更新位址并发出另一更新命令以根据该更新周期来启始另一更新循环。21.如申请专利范围第20项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之方法,其中该错误为一软错误。22.如申请专利范围第21项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之方法,其中该错误系由粒子或杂讯所导致。23.一种在动态随机存取记忆体更新时脉中检测与修正错误之装置,至少包括:一更新控制器,藉以产生一更新位址并根据一更新周期来发出一更新命令以启始一更新循环;一位址暂存器与多工器;一资料暂存器与多工器,其中该更新位址系传送至该位址暂存器与多工器,且该更新命令系传送至该位址暂存器与多工器以及该资料暂存器与多工器;一位址解码器,藉以读取该更新位址所对应之一记忆体阵列中之一资料至一资料读取/写入缓冲区;以及一错误修正码电路,藉以检查并修正该资料。24.如申请专利范围第23项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之装置,其中若检测出该资料中具有一错误,则该装置更至少包括:一修正资料,系先储存于该资料暂存器与多工器中之一资料暂存器中;以及一错误检出讯号,系自该错误修正码电路送出至该更新控制器中,藉以停止产生另一更新位址,并于另一更新循环中将该修正资料写入至该记忆体阵列中。25.如申请专利范围第24项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之装置,其中若未检测出该资料中具有该错误,则该装置至少包括又一更新位址与另一更新命令,系由该更新控制器所发出,以根据该更新周期来启始另一更新循环。26.如申请专利范围第25项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之装置,其中该错误为一软错误。27.如申请专利范围第26项所述之在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之装置,其中该错误系由粒子或杂讯所导致。图式简单说明:第1图系绘示习知无错误检测与修正功能之动态随机存取记忆体之波形时序图。第2A图系绘示习知一种具有修正记忆资料功能之动态随机存取记忆体之波形时序图。第2B图系绘示习知另一种具有错误检测与修正功能之动态随机存取记忆体之波形时序图。第3图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种在动态随机存取记忆体的更新时脉中检测与修正错误之装置方块图。第4图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种在更新时脉中检测与修正错误之动态随机存取记忆体装置之波形时序图。 |
