| 主权项 |
1.一种形成非挥发记忆元件的方法,包括:于一基底上提供一堆叠结构,该堆叠结构包括一第一介电层、一浮置闸极、一第二介电层以及一控制闸极;于该堆叠结构之侧壁上形成一介电衬层;以及于该介电衬层之至少一部份上形成一阻障层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该阻障层包括一氮化矽层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中:该记忆元件是一快闪记忆胞;该方法包括植入掺质到该基底的区域内,以于该基底中形成复数个源极与汲极区;以及该方法更包括于该氮化矽层上形成一二氧化矽间隙壁。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中形成该介电衬层包括施行热氧化制程,使得该介电衬层包括二氧化矽。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中形成该氮化矽层包括低压化学气相沈积(LPCVD)氮化矽沈积法。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该氮化矽层的厚度大于30埃。7.如申请专利范围第4项所述之方法,其中形成该氮化矽层包括在有N2或N2O的存在下施行快速热制程。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该氮化矽层的厚度小于30埃。9.如申请专利范围第4项所述之方法,其中形成该氮化矽层包括暴露该介电衬层于一N2电浆中。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该氮化矽层的厚度小于30埃。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成之该阻障层系沿着离开该基底之一方向延伸于该第一介电层的一边缘上。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该阻障层之最大范围系垂直延伸至该基底。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中形成之该阻障层系延伸至该记忆元件的一源极/汲极区。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成之该阻障层系邻接于该第一介电层的一边缘。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中形成之该阻障层系沿着平行该基底之一方向离开该第一介电层的该边缘延伸。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该阻障层之最大范围系延伸于平行该基底之一平面。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中形成之该阻障层系延伸至该记忆元件的一源极/汲极区上。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中形成之该阻障层更包括沿着离开该基底之一方向延伸于该第一介电层的该边缘上。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该阻障层之最大范围系垂直延伸至该基底。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中形成之该阻障层系延伸至该记忆元件的一源极/汲极区上。图式简单说明:第1图系依照本发明之一较佳实施例之记忆元件的剖面示意图,其具有一堆叠闸极结构;第2图系第1图所示之记忆元件的剖面示意图,其中有一氧化衬层形成于堆叠闸极结构的侧壁上;第3图系第2图所示之记忆元件的剖面示意图,其中有一氮化阻障层形成于氧化衬层上;第4图系第3图所示之记忆元件的剖面示意图,其中有一氧化间隙壁形成于氧化衬层氮化阻障层上;以及第5图系依照本发明之非挥发记忆元件的最初抹除与经100次循环后的抹除之间的启始电压差之图表。 |
