| 主权项 |
1.一种转涂布组成物,其中该转涂布组成物至少包含:0.1~30%体积比例的硫酸;0.1~15%体积比例的双氧水;0.01~10%重量比例的有机酸;0.1~30%重量比例的氮化合物;0.01~10%重量比例的二氧化矽及/或钛之化合物;以及至少一个选自下列所组成群集之一的添加剂:薄膜形成附属物、蚀刻速率控制剂、反应促进剂、以及安定剂,其中该薄膜形成附属物、该蚀刻速率控制剂以及该反应促进剂使用的量分别为该转涂布组成物之重量比例的0.1~20%、0.1~30%、0.1~20%,而以该转涂布组成物之体积为基准,该安定剂使用的量为0.1 ~20g/l。2.如申请专利范围第1项之组成物,其中上述之硫酸使用的量可为该转涂布组成物之体积比例的1.0~15%。3.如申请专利范围第1项之组成物,其中上述之双氧水使用的量可为该转涂布组成物之体积比例的1.0~10%。4.如申请专利范围第1项之组成物,其中上述之有机酸使用的量可为该转涂布组成物之重量比例的0.01~ 5%。5.如申请专利范围第4项之组成物,其中上述之有机酸使用的量可为预浸渍组成物之重量比例的0.05~2.5%。6.如申请专利范围第1项之组成物,其中上述之氮化合物使用的量可为该转涂布组成物之重量比例的0.1~ 20%。7.如申请专利范围第6项之组成物,其中上述之氮化合物使用的量可为该转涂布组成物之重量比例的0.5~ 15%。8.如申请专利范围第1项之组成物,其中上述之二氧化矽及/或钛之化合物使用的量可为该转涂布组成物之重量比例的0.1~15%。9.如申请专利范围第1项之组成物,其中上述之薄膜形成附属物使用的量可为该转涂布组成物之重量比例的0.1~15%。10.如申请专利范围第9项之组成物,其中上述之薄膜形成附属物使用的量可为该转涂布组成物之重量比例的0.5~10%。11.如申请专利范围第1项之组成物,其中上述之蚀刻速率控制剂使用的量可为该转涂布组成物之重量比例的0.1~20%。12.如申请专利范围第11项之组成物,其中上述之蚀刻速率控制剂使用的量可为该转涂布组成物之重量比例的0.5~10%。13.如申请专利范围第1项之组成物,其中上述之反应促进剂使用的量可为该转涂布组成物之重量比例的0.1 ~ 15%。14.如申请专利范围第13项之组成物,其中上述之反应促进剂使用的量可为该转涂布组成物之重量比例的0.5 ~ 10%。15.如申请专利范围第1项之组成物,其中上述之安定剂以该转涂布组成物之体积为基准,所使用的量可为0.5~5g/l。16.如申请专利范围第1、第4或第5项之组成物,其中上述之有机酸可选自下列所组成群集之一:醋酸、丙酸、乙醇酸、柠檬酸、酒石酸、顺丁烯二酸、丙二酸、丁二酸、苯二酸、苯甲酸、丙烯酸以及无水物(anhydride)。17.如申请专利范围第1、第6或第7项之组成物,其中上述之氮化合物可选自下列所组成群集之一:尿素衍生物、硫代尿素衍生物、含氮之异素环状化合物(例如:异二氮二烯五圜、三氮二烯五圜、硫氮二烯五圜以及其衍生物)、以及其任意混合物。18.如申请专利范围第1或第8项之组成物,其中上述之二氧化矽及/或钛之化合物可选自下列所组成群集之一:含有-Si-O-族之有机矽甲烷化合物、含有-Ti-O-族的钛耦合剂以及其任意混合物。19.如申请专利范围第18项之组成物,其中上述之二氧化矽及/或钛之化合物可选自下列所组成群集之一:RSi(OR)3、RSi(OROR)3、Ti(OC3H7)4、N(CH2CH2O)3TiOC3H7以及其任意混合物,其中上述R为烷基、乙烯基、苯甲基或乙醯基。20.如申请专利范围第1、第9或第10项之组成物,其中上述之薄膜形成附属物可选自下列所组成群集之一:对苯二酚、间苯二酚、邻苯二酚、近苯三酚、上述之衍生物以及有机之硫化合物。21.如申请专利范围第1、第11或第12项之组成物,其中上述之薄膜形成附属物可选自下列所组成群集之一:N-甲基-二-一氮五圜酮(N-methy1-2-pyrrolidone)、N-环己-二-一氮五圜酮(N-cyclohexy1-2-pyrrolidone)、二-一氮五圜酮(2-pyrrolidone)、乙烷甲醯胺(dimethyl formamide)、乙烷乙醯胺(dimethyl acetamide)、四氢一氧二烯五圜(tetrahydrofuran)、氰甲烷(acetonitirile)、二氧六圜(dioxane)、烷基乳酸盐(alkyl lactate)、烷基乙二醇(alkyl glycolate)、烷基磷酸盐(alkyl phosphate)、酮、醇以及其任意混合物。22.如申请专利范围第1、第13或第14项之组成物,其中上述之反应促进剂可选自下列所组成群集之一:高硫酸盐(例如:ammonium peroxysulfate、sodiumperoxysulfate以及potassium peroxysulfate)、monosulfate(例如:sodium peroxymonosulfate以及potassium peroxymonosulfate)、硝酸盐(例如:氮酸、硝酸钠、硝酸钾以及硝酸铵)、磷酸或磷酸盐、三价的铁盐(例如:硝酸铁、硫酸铁以及檬酸铁)以及其任意混合物。23.如申请专利范围第1或第15项之组成物,其中上述之安定剂可选自下列所组成群集之一:nitrilotriacetic acid(NTA)、EDTA、DPTA以及其金属盐。24.一种形成一转涂布薄膜于一印刷电路板上之方法,其中该方法至少包含下列步骤:洁净和漂净铜或铜合金之印刷电路板;涂布一转涂布组成物于该印刷电路板上,其中该转涂布组成物至少包含:0.1~30%体积比例的硫酸;0.1~15%体积比例的双氧水;0.01~10%重量比例的有机酸;0.1~30%重量比例的氮化合物;0.01~10%重量比例的二氧化矽及/或钛之化合物;以及至少一个选自下列所组成群集之一的添加剂:薄膜形成附属物、蚀刻速率控制剂、反应促进剂、以及安定剂,其中该薄膜形成附属物、该蚀刻速率控制剂以及该反应促进剂使用的量分别为该转涂布组成物之重量比例的0.1~20%、0.1~30%、0.1~20%,而以该转涂布组成物之体积为基准,该安定剂使用的量为0.1~20g/l;以及洁净与乾燥该印刷电路板。25.如申请专利范围第24项之方法,其中上述之涂布步骤系实施于摄氏30~50度下、而实施的时间为2~5分钟。26.如申请专利范围第24或第25项之方法,其中上述之方法更包含在洁净和漂净该印刷电路板后,于摄氏10~60度中,将该印刷电路板预浸渍在一预浸渍组成物中10秒钟至10分钟,而该预浸渍组成物至少包含:占该预浸渍组成物体积之比例为0.1 ~5%的硫酸;占该预浸渍组成物体积之比例为0.1 ~10%的双氧水;占该预浸渍组成物重量之比例为0.01 ~10%的有机酸;占该预浸渍组成物重量之比例为0.1 ~30%的氮化合物;占该预浸渍组成物重量之比例为0.01 ~10%的二氧化矽及/或钛之化合物;占该预浸渍组成物重量之比例为0.1 ~20%的反应促进剂;及/或占该预浸渍组成物重量之比例为0.1~20g/l的安定剂。27.如申请专利范围第26项之方法,其中上述之硫酸使用的量可为该预浸渍组成物之体积比例的0.1~1.0%。28.如申请专利范围第26项之方法,其中上述之双氧水使用的量可为该预浸渍组成物之体积比例的1.0~5.0 %。图式简单说明:第1a图显示的是一传统黑色氧化程序的流程图,第1b图显示的是一传统涂布程序的流程图,第2图显示的是依据本发明之一实施例,形成较佳化学阻抗的氧化薄膜之照片,以及第3a图至第3j图显示的是依据本发明转涂布方法之实施例,印刷电路板处理的较佳表面粗糙情况之照片。 |
